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JINANJINGHENG MOS devices

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sicmos器件的可靠性

本文分析了碳化硅（SiC）MOS器件的氧化层可靠性问题。主要讨论了隧道电流对氧化层可靠性的影响，包括金属/硅碳化物与介电层之间的能带偏移和介电层中的电场，这些因素导致隧道电流进入介电层，从而引起其退化。由于SiC与大多数介电层的能带偏移小于Si与介电层的能带偏移，因此预计基于SiC-介电层的器件的可靠性低于Si MOS器件。文章还讨论了界面态对隧道电流和MOSFET漏电流的影响，以及界面态密度对器件性能和可靠性的影响。

GENESIC SEMICONDUCTOR -  Technical Documentation  - 2018/03/09

SRF2020 THRU SRF20200 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SRF2045,SRF2030,SRF20100,SRF2020,SRF20200,SRF2060,SRF20150

SR1535 THRU SR15200 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SR1560,SR15200,SR1550,SR15100,SR15150,SR1545,SR1535

SS54LA LOW VFSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SS54LA

DB Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

ABS Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

SOD-123 Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

WOB Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

SMA DO-214AC Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

ITO-220AC Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

TO-220AC Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

ITO-220AB Package

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

AMD RAID安装指南包

本文档提供了AMD BIOS和Windows环境下RAID配置的详细指南。内容包括RAID介绍、配置注意事项、安装Windows操作系统时使用RAID功能的方法、创建磁盘阵列的步骤，以及RAIDXpert软件的安装和使用说明。文档涵盖了RAID 0、RAID 1、RAID 10、JBOD和RAID Ready等配置，并提供了安装Windows XP、Windows 7、Vista等操作系统时的具体操作步骤。

JINANJINGHENG -  Package Information  - 2019/08/22

1N5400 THRU 1N5408 GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :1N5405,1N5404,1N5407,1N5406,1N5408,1N5401,1N5400,1N5403,1N5402

1N5817THRU 1N5819 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :1N5818,1N5817,1N5819

SR340L LOW VFSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SR340L

SR1060L LOW VFSCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SR1060L

10SQ050 SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :10SQ050

SR1020CT THRU SR10200CT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SR1060CT,SR1020CT,SR10200CT,SR1030CT,SR10100CT,SR1045CT,SR10150CT

SRF1020CT THRU SRF10200CT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SRF10200CT,SRF10150CT,SRF1020CT,SRF1030CT,SRF10100CT,SRF1040CT,SRF1050CT,SRF1060CT,SRF1080CT

LL103ATHUR LL103C SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :LL103B,LL103C,LL103A

LLDB3 LLDC34 LLDB4 LLDB6 SILICON BIDIRECTIONAL DIAC

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :LLDB4,LLDB3,LLDB6,LLDC34

SR3020CTTHRU SR30200CT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

JINANJINGHENG -  Datasheet  - 2019/08/22   Part# :SR3060CT,SR3080CT,SR30150CT,SR3020CT,SR30100CT,SR30200CT,SR3045CT,SR3040CT,SR3030CT

TSNEC1401614913 SGS试验报告

本报告为SGS出具的产品测试报告，编号TSNEC1401614913，日期为2015年1月12日。报告内容涉及多个样品的RoHS指令2011/65/EU附件II限值测试，包括铅、汞、镉、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs）等有害物质的检测。所有样品的测试结果均符合限值要求。报告还包括样品照片和测试方法说明。

JINANJINGHENG -  Test Report  - 12 Jan 2015

DO-41 SGS试验报告

本报告为济南晶恒电子有限责任公司提供的塑封二极管样品的测试报告，编号TSNEC1401614916 A01，日期2015年2月2日。报告内容包括样品描述、测试方法、测试结果和结论。测试项目涉及镉、铅、汞、六价铬、多溴联苯(PBBs)、多溴二苯醚(PBDEs)等，所有样品的测试结果均符合欧盟RoHS指令2011/65/EU附录II的限值要求。

JINANJINGHENG -  Test Report  - 2015年02月02日

R-6 SGS试验报告

本报告为SGS出具，编号SHAEC1513692901，日期2015年7月16日。报告内容涉及对某客户提交的塑料封装二极管的样品进行SVHC（高度关注物质）筛查。测试结果显示，样品中所有测试的SVHC浓度均低于0.1%（重量比），符合欧盟REACH法规的要求。报告详细列出了测试方法、结果以及相关SVHC物质的名称、CAS号和报告限值。

JINANJINGHENG -  Test Report  - 16 Jul 2015

TP14-007353 - TJ 测试报告

本报告为SGS出具的产品测试报告，编号TSNEC1401614905，日期为2015年1月9日。报告内容涉及对DB3芯片样品的RoHS指令2011/65/EU附件II规定的有害物质（铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯（PBBs）、多溴联苯醚（PBDEs））的检测。检测结果均符合欧盟RoHS指令限值要求。报告详细列出了各项检测项目的限值、测试方法和结果。

JINANJINGHENG -  Test Report  - 09 Jan 2015   Part# :TP14-007353 - TJ

DO-35 测试报告

本报告为SGS公司于2015年1月9日出具的测试报告，编号TSNEC1401614909。报告内容涉及对多个样品的RoHS指令2011/65/EU附件II中限定的有害物质（铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯、多溴联苯醚）的检测。测试结果显示，所有样品均符合限值要求。此外，还对样品中的邻苯二甲酸盐和六溴环十二烷进行了检测，结果均为未检测到。

JINANJINGHENG -  Test Report  - 09 Jan 2015   Part# :DO-35
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Brand：HI-SEMICON

Category：低压MOS

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Category：低压MOS

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Brand：HI-SEMICON

Category：低压MOS

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Brand：HI-SEMICON

Category：低压MOS

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Category：低压MOS

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Brand：PN Junction

Category：SIC MOS

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